钨铜 IC 封装件

面向功率半导体芯片、射频放大器与气密器件载体的钨铜 IC 封装基板——PM/MIM 成形微通道、台阶与腔体结构，热膨胀系数可调以匹配 Si、SiC、GaN、GaAs。

材质

钨铜（W–Cu）

特性

铜相高导热结合钨相高刚性、热膨胀系数可调、组织均匀无孔隙、兼容 Ni/Au、Ag、Cu 及 ENEPIG 金属化

应用

大功率开关器件、基站射频晶体管载体、国防级气密微波模块、高温 SiC/GaN 功率级、精密混合电路。